| 型号： | CSD18531Q5A | RoHS： | 否 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Texas Instruments | 描述： | MOSFET N-CH 60V 8SON |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| CSD18531Q5A PDF |  |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | NexFET™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 4.6 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 43nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3840pF @ 30V |
| 功率 - 最大 | 3.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装 | 8-SON（5x6） |
| 包装 | 标准包装 |
| 其它名称 | 296-30573-6 |